回顧與展望：全新技術(shù)時代即將來臨，存儲器依然炙手可熱

過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。MRAM雖然還沒有真正量產(chǎn)，但技術(shù)上讀寫速度已達(dá)20ns，甚至略優(yōu)于DRAM，前景看好。

這些新技術(shù)的推進(jìn)，打破原先的產(chǎn)業(yè)格局，每家廠商都想搶得先機，鴨子劃水般的投資暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，臺灣地區(qū)的晶圓代工大廠不會缺席，甚至大陸也想彎道超車。

圖：2018年前十大半導(dǎo)體業(yè)者營收預(yù)估

至于誰會領(lǐng)先達(dá)陣？當(dāng)DRAM因為技術(shù)極限而可能成為消費商品時，倚賴政府投資的大陸半導(dǎo)體大廠是否會后來居上，而在美國智財權(quán)的緊箍咒下，大陸如何成為多元應(yīng)變的孫猴子呢？這些都是2019年觀察產(chǎn)業(yè)的重點。

圖：全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估

　存儲器與晶圓代工產(chǎn)業(yè)跨界經(jīng)營

由于DRAM最新制程轉(zhuǎn)換不易，服務(wù)器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴大，都給2018年DRAM的商機帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進(jìn)入障礙也是商機的來源，但非存儲器的商機仍然占了半導(dǎo)體市場的65.5%。如果瞄準(zhǔn)未來的市場，CMOS影像傳感器(CIS)、行動AP與車聯(lián)網(wǎng)等三大需求依舊是市場的保證。

更重要的是臺積電、聯(lián)電稱雄晶圓代工業(yè)，自然會多元耕耘，不讓他人染指。但三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)都有分散業(yè)務(wù)過度集中于存儲器的策略，大陸的IC設(shè)計業(yè)也開始超車，系統(tǒng)IC與晶圓代工的競爭依然波濤洶涌。

2017年全球存儲器市場為1,303億美元，比2016年的713億美元暴增82.6%，估計2018年仍維持26.3%的成長率。在市場的驅(qū)動下，韓國兩大存儲器體業(yè)者的資本支出也持續(xù)擴大，直到2018年底才出現(xiàn)減緩的趨勢。

另據(jù)SEMI資料，全球半導(dǎo)體材料市場將從2017年的247億美元，增加到2018年的278億美元，成長率12.7%。從2016年開始的半導(dǎo)體高峰期，延續(xù)到2018年底，半導(dǎo)體業(yè)者也順勢推舟，在資本支出上更進(jìn)一步的提高。

對照存儲器業(yè)者2016年的資本支出為243億美元，2017年達(dá)到401億美元，2018年預(yù)估為440億美元，也可以理解全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在投資的高峰期。但美中貿(mào)易紛爭是破壞市場穩(wěn)定發(fā)展的重大變量，2018年底三星的人事布局、擴張策略趨于保守，顯示主力大廠對于2019年的投資采謹(jǐn)慎態(tài)度。

全球DRAM仍處于寡占狀態(tài)

全球DRAM市場95%以上掌握在前三大廠手中，臺灣華邦、旺宏等廠商，僅能在善用產(chǎn)能與提高獲利的前提下經(jīng)營。由于競爭相對緩和，主力大廠在2017年的資本支出，竟然比2016年減少3.8%。因服務(wù)器需求高于預(yù)期，新制程轉(zhuǎn)換的過程難度也高于預(yù)期，而每臺設(shè)備所搭載的DRAM也相應(yīng)提高，因此2018年的企業(yè)投資仍高于往年。

2018年起，三星量產(chǎn)1ynm(10nm中段級技術(shù))，由于難度比1xnm(10nm級后段技術(shù))高出不少，因此在制程轉(zhuǎn)換上比原先預(yù)計的要長。SK海力士也將從2017年下半開始前進(jìn)1xnm的制程，2018年下半期起比重便顯著增加，也進(jìn)入了1ynm等級的工程技術(shù)。

在這種背景下，三星曾明確的表達(dá)擴大投資的計畫構(gòu)想，而SK海力士原先計劃在2019年啟動的增產(chǎn)計畫，也提前到2018年下半。

在手機市場上，Mobile DRAM受限于手機市場飽和之苦，但即將來臨的5G商機、手機游戲、AR/VR、4K影像、智慧城市等領(lǐng)域都將帶來龐大的機會。手機搭載DRAM平均容量從3GB起跳，2019年甚至上看10GB；2018年出貨的iPhone Xs已使用每層4GB的雙層DRAM架構(gòu)。

美日韓對決96層3D NAND

相較于DRAM的積極投資，韓國雙雄在NAND的投資反而保守。關(guān)鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態(tài)，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進(jìn)展。

NAND同樣必須以良率在市場上競爭，加以十分耗電，因此小面積、大容量便成為競爭關(guān)鍵。2D的NAND在10xnm階段便遭遇技術(shù)壓力，因此三星、東芝(Toshiba)都向3D發(fā)展。相較于2017年，三星2018年的資本支出會少一點點，但比起往年仍是大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應(yīng)市場的需求。

目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進(jìn)到96層，2019年初便會進(jìn)展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。

為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆疊技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)完全克服，而64層的產(chǎn)品在總產(chǎn)量中的比重也將持續(xù)提高，借以取得更好的競爭優(yōu)勢。

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。