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三星宣布正式量產第9代V-NAND閃存

發(fā)布時間:2024-07-12 15:20 編輯:夏明 來源:互聯(lián)網
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三星宣布正式量產第9代V-NAND閃存,首批生產的是1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,相比上一代產品,單位面積存儲密度提高了約50%,同時功耗降低了10%。三星還引入了新的技術,避免單元干擾并延長單元壽命,同時取消
三星宣布正式量產第9代V-NAND閃存,首批生產的是1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,相比上一代產品,單位面積存儲密度提高了約50%,同時功耗降低了10%。三星還引入了新的技術,避免單元干擾并延長單元壽命,同時取消備用通道孔大幅減少了存儲單元的平面面積。三星在第9代V-NAND閃存的生產中,在金屬化工藝過程中使用了鎢,另一種則使用了(Mo)。目前行業(yè)內使用鎢來降低層高已達到極限,換成可將層高再降低30%至40%,而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用鉬,意味著NAND材料價值鏈將發(fā)生一些變化。

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