摩根士丹利:DRAM將迎供需失衡“超級周期”明年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)缺口高達(dá)23%
發(fā)布時間:2024-06-12 19:20
編輯:王鑫
來源:互聯(lián)網(wǎng)
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摩根士丹利:DRAM將迎供需失衡“超級周期”明年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)缺口高達(dá)23%,6月12日訊,摩根士丹利指出,由于近年來DRAM廠新增產(chǎn)能有限,疊加HBM消耗大量產(chǎn)能,DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級周期”,明年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM供應(yīng)缺口高達(dá)23%,將比HBM更缺,為近年罕見,
價格將一路上漲。大摩調(diào)升今年第三季DRAM和NAND芯片價格漲幅預(yù)估,由原預(yù)期8%和10%,上調(diào)至13%和20%,調(diào)升幅度高達(dá)六成以上。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。