臺積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片功耗僅類似技術(shù)的1%,1月18日訊,臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)傳捷報,攜手工研院開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器陣列芯片,搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu),功耗僅其他類似技術(shù)的1%。臺積電已經(jīng)成功開發(fā)出22納米、16/12納米制程等相關(guān)MRAM產(chǎn)品線,并手握存儲器、車用等市場訂單,搶占MRAM商機。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
| 名稱 | 最新價 | 漲跌 |
|---|---|---|
| 盤螺 | 3840 | - |
| 花紋板卷 | 3200 | - |
| 中厚板 | 3250 | - |
| 鍍鋅管 | 4550 | - |
| 重軌 | 4500 | - |
| 鍍鋅板卷 | 4060 | - |
| 管坯 | 33890 | - |
| 冷軋無取向硅鋼 | 4260 | - |
| Cr系合結(jié)鋼 | 3700 | - |
| 鉬鐵 | 227600 | 1,500 |
| 低合金方坯 | 3050 | +10 |
| 鐵精粉 | 1110 | - |
| 準(zhǔn)一級焦 | 1210 | - |
| 鎳 | 144320 | 1700 |
| 切碎原五 | 2060 | - |
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