成立時(shí)間:
注冊(cè)資本:
經(jīng)營(yíng)范圍: 中正、 綁定、 高純、 多晶硅、 單晶、
多晶硅是一種重要的濺射靶材材料,使用磁控濺射方法制備SiO2等薄膜層,可以使基體材料具備更好的光學(xué)、介電及抗蝕性能,被廣泛應(yīng)用到觸摸屏、光學(xué)等行業(yè)中。本公司采用美國(guó)GT-Solar公司的多晶硅鑄錠爐的鑄造長(zhǎng)晶工藝可制備出的硅靶材材料,具有純度高、導(dǎo)電性優(yōu)異、晶粒均勻等特點(diǎn),硅材料尺寸可達(dá)1m×1m。結(jié)合本公司***的金剛石帶鋸、金剛線切割、多線切割等***加工設(shè)備及工藝,可制作出多種不同尺寸的靶材產(chǎn)品
掃碼下載
免費(fèi)看價(jià)格