全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器,開發(fā)出實現業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據)近年來,由于SiC產品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢,1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而,受可靠性等因素影響,遲遲難以推出相應產品,所以1700V耐壓的產品一般使用IGBT。
在這種背景下,ROHM推出了實現額定1700V的全SiC功率模塊,新產品不僅繼承了1200V耐壓產品中深獲好評的節(jié)能性能,還進一步提高了可靠性。
此次新開發(fā)的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法,成功地預防了絕緣擊穿,并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB)※2)中,實現了極高的可靠性,超過1,000小時也未發(fā)生絕緣擊穿現象。從此,在高溫高濕度環(huán)境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
另外,模塊中采用了ROHM產的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD),通過優(yōu)化模塊內部結構,使導通電阻性能比與同等SiC產品優(yōu)異10%,非常有助于應用進一步節(jié)能。
本模塊已于2018年10月開始投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡),后期工序的生產基地為ROHM總部工廠(日本京都)。
未來,ROHM不僅會繼續(xù)擴充讓客戶安心使用的產品陣容,還會配備可輕松測試SiC模塊的評估板等,以進一步滿足日益擴大的市場需求。
<特點>
1. 在高溫高濕環(huán)境下確保業(yè)界頂級的可靠性
通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策,并引進新工藝方法,使新模塊通過了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗,從而使1700V耐壓的產品得以成功走向市場。
比如在高溫高濕反偏試驗中,比較對象IGBT模塊在1,000小時以內發(fā)生了引發(fā)故障的絕緣擊穿,而BSM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下,即使施加1360V達1,000小時以上,仍然無故障,表現出極高的可靠性。
2. 優(yōu)異的導通電阻性能,有助于設備進一步節(jié)能新模塊中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導通電阻低于同等普通產品10%,這將非常有助于應用進一步節(jié)能。
關鍵詞:ROHM SiC功率備注:數據僅供參考,不作為投資依據。
名稱 | 最新價 | 漲跌 |
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高線 | 3460 | -50 |
熱軋開平板 | 3310 | -50 |
低合金厚板 | 3890 | -10 |
螺旋管 | 4060 | -20 |
角鋼 | 3600 | -40 |
鍍鋅板卷 | 3600 | -40 |
冷軋卷板 | 9340 | - |
冷軋無取向硅鋼 | 4190 | - |
圓鋼 | 3580 | -40 |
硅鐵 | 6200 | 0 |
低合金方坯 | 2980 | -50 |
鐵精粉 | 1130 | - |
準一級焦 | 1510 | - |
鉑金 | 11480 | -130 |
重廢 | 1800 | 0 |
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